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硅外延技術規范

文章作者:poshing 上傳更新:2021-05-31
序號
特征
參數
測試方法
1
外延層摻雜劑
Boron, Phosphorus, Arsenic
 
2
外延層晶向
<100>, <111>
 
3
外延層電阻率
外延爐
直徑
類型
外延片電阻率
均勻性
ASTM  F723  F1392
批式
100mm
125mm
150mm
200mm
P/P++; N/N+
N/N++,N/N+/N++
N/P/P;  P/N/N+
0.004(B:0.01)-3 Ω.cm
≤±3%
3-30  Ω.cm
≤±5%
>30  Ω.cm
≤±6%
單片
150mm
200mm
P/P++;  N/N++
N/N+/N++
0.3-3  Ω.cm
≤±2%
3-30  Ω.cm
≤±3%
4
外延層厚度
外延爐
直徑
類型
外延片厚度
均勻性
ASTM F95
批式
100mm
125mm
150mm
200mm
P/P++;  N/N+
N/N++, N/N+/N++
N/P/P;   P/N/N+
3-100μm
≤±3%
單片
150mm
200mm
P/P++;N/N++
N/N+/N++
0.1-20μm
≤±1%
5
堆垛層錯密度性
≤10/cm2
ASTM F1810
6
滑移線
≤5條,總長度<1/2圓片直徑
ASTM F1725 F1726
7
霧、劃傷、凹坑、桔皮、裂紋、鴉爪、崩邊、異物、背面沾污
ASTM F523
8
冠狀邊緣
表面上凸起物高度不超過1/3延層厚度
 
9
點缺陷
SEMI標準
ASTM F523
 

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