<tt id="mcyiu"></tt>
<rt id="mcyiu"><small id="mcyiu"></small></rt>
<acronym id="mcyiu"></acronym>
<acronym id="mcyiu"></acronym>
<rt id="mcyiu"><center id="mcyiu"></center></rt>
加入收藏 | 在線留言 | 聯系我們 您好,歡迎來到河北普興電子科技股份有限公司官網!
服務熱線 全國服務熱線:
0311-83933269/83933367

河北普興電子科技股份有限公司

English
當前位置:首頁 > 新聞中心 > 行業新聞 >

[轉載]碳化硅肖特基二極管的優點及其應用的說明

文章作者:poshing 上傳更新:2021-05-31

碳化硅肖特基 二極管 的優點

碳化硅SiC的能帶間隔為硅的2.8倍(寬禁帶),達到3.09電子伏特。其絕緣 擊穿 場強為硅的5.3倍,高達3.2MV/cm.,其導熱率是硅的3.3倍,為49w/cm.k。 它與硅半導體材料一樣,可以制成結型器件、場效應器件、和金屬與半導體接觸的肖特基二極管。

其優點是:

(1)碳化硅單載流子器件漂移區薄,開態 電阻 小。比硅器件小100-300倍。由于有小的導通電阻,碳化硅功率器件的正向損耗小。

(2)碳化硅功率器件由于具有高的擊穿電場而具有高的擊穿電壓。例如,商用的硅肖特基的電壓小于300V,而第一個商用的碳化硅肖特基二極管的擊穿電壓已達到600V。

(3)碳化硅有高的熱導率,因此碳化硅功率器件有低的結到環境的熱阻。

(4)碳化硅器件可工作在高溫,碳化硅器件已有工作在600ºC的報道,而硅器件的最大工作溫度僅為150ºC.

(5)碳化硅具有很高的抗輻照能力。

(6)碳化硅功率器件的正反向特性隨溫度和時間的變化很小,可靠性好。

(7)碳化硅器件具有很好的反向恢復特性,反向恢復 電流 小, 開關 損耗小。碳化硅功率器件可工作在高頻(》20KHz)。

(8)碳化硅器件為減少功率器件體積和降低 電路 損耗作出了重要貢獻。

碳化硅肖特基二極管的應用

SiC肖特基二極管主要應用于混合動力、光伏 逆變器 、礦機電源、 電焊 機和充電樁。

碳化硅肖特基二極管(SiCSBD)是一種單極型器件,采用結勢壘肖特基二極管結構(JBS),因此相比于傳統的硅快恢復二極管(SiFRD),碳化硅肖特基二極管具有理想的反向恢復特性??梢杂行Ы档头聪蚵╇娏?,具備更好的耐高壓能力。另一個重要的特點是碳化硅肖特基二極管具有正的溫度系數,隨著溫度的上升電阻也逐漸上升,這與硅FRD正好相反。這使得碳化硅肖特基二極管非常適合并聯實用,增加了系統的安全性和可靠性。在器件從正向導通向反向阻斷轉換時,幾乎沒有反向恢復電流,反向恢復時間小于20ns,甚至600V10A的碳化硅肖特基二極管的反向恢復時間在10ns以內。因此碳化硅肖特基二極管可以工作在更高的頻率,在相同頻率下具有更高的效率。

☆ 聯系我們
聯系我們
名稱: 河北普興電子科技股份有限公司
電話: 86-0311-83933269/83933367
傳真: 86-0311-83933422
地址: 河北省石家莊市鹿泉經濟開發區昌盛大街21號
郵編: 050200
恒大彩票