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普興公司6英寸碳化硅外延高速率生長工藝開發成功

文章作者:poshing 上傳更新:2021-05-31
碳化硅(SiC)作為第三代半導體材料的典型代表,具有禁帶寬度寬(3.26 eV)、擊穿電場強度大(2.8 MV/cm)、飽和電子遷移速度快(2.2*107cm/s)及熱導率高(3.3~4.9 W/(cm*K))等優勢,可制備高壓、高溫、高頻器件并被廣泛應用在新能源汽車、風能、太陽能、智能電網、機車、下一代通訊甚至雷達、航海、航天等領域。目前市場上的功率器件絕大多數都可被SiC器件替代,尤其是在高壓大功率領域的器件。
 
  隨著社會的發展,人們對電子設備性能要求越來越高,為了滿足其要求,半導體行業中對SiC的需求也將會越來越多。從2019年至2025年,市場對SiC的需求量年增長率將會達到49%,SiC正在迎來它快速發展的階段。但是國內SiC產業起步較晚,加上國外對中國關鍵技術和設備等方面的限制,國內的SiC拋光片和高質量SiC外延片,無論在質量上還是尺寸上都較國外有一定差距,且產能和產業化經驗不足嚴重影響國產SiC材料的廣泛推廣應用。
  普興公司有近60年的外延研究歷史和近20年的產業化生產經驗,掌握了多種外延控制方法,積累了大量的技術經驗,為碳化硅外延材料研發及產業化發展奠定了堅實的基礎。目前吳會旺博士帶領的以楊龍、李偉峰、李召勇為代表的碳化硅外延技術攻關團隊,參考基礎工藝,進行反復計算和理論模擬,從而建立了高速率外延生長體系并實驗驗證,通過優化關鍵技術參數,使得外延生長速率大幅度提升,為碳化硅外延的快速發展奠定了堅實的基礎。此外,與客戶聯合制定的三組高速率碳化硅外延樣片已經完成各項參數測試,各項指標均滿足規范要求,客戶已經安排上線流片。碳化硅外延高速率生長工藝的應用,可以將生產效率提高200%以上,大幅降低生產成本,為公司碳化硅外延產品擴大市場份額提供了有力保障。
  化硅作為新興材料,在技術、工藝等方面有較大的提升空間,普興公司將繼續努力,大力發展碳化硅外延產業,通過技術提升、規?;a,與產業鏈上下游聯合降低材料成本提高產品質量,推動我國第三代半導體行業的發展。
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